ZXMP6A18KTC , P沟道 MOSFET 晶体管, 10.4 A, Vds=-60 V, 4针 D-PAK封装
- RS 库存编号:
- 738-5178
- 制造商零件编号:
- ZXMP6A18KTC
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 10 - 18 | RMB11.065 | RMB22.13 |
| 20 - 48 | RMB9.95 | RMB19.90 |
| 50 - 98 | RMB8.665 | RMB17.33 |
| 100 + | RMB8.14 | RMB16.28 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 738-5178
- 制造商零件编号:
- ZXMP6A18KTC
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 10.4 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 80 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 10.1 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 1580 pF @ -30 V | |
| 典型接通延迟时间 | 4.6 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 55 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 5 V | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 7.67mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 7.67 x 2.39mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 10.4 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 80 mΩ | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 10.1 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 1580 pF @ -30 V | ||
典型接通延迟时间 4.6 ns | ||
典型关断延迟时间 55 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 5 V | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 7.67mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 2.39mm | ||
尺寸 6.73 x 7.67 x 2.39mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN