ZXMS6004DT8TA, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 1.2 A, Vds=60 V, 8针 SM8封装
- RS 库存编号:
- 738-5200
- 制造商零件编号:
- ZXMS6004DT8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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| 25 - 45 | RMB6.40 | RMB32.00 |
| 50 - 120 | RMB6.274 | RMB31.37 |
| 125 - 245 | RMB5.49 | RMB27.45 |
| 250 + | RMB4.804 | RMB24.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 738-5200
- 制造商零件编号:
- ZXMS6004DT8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 封装类型 | SM | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 2.13 W | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 45000 ns | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 系列 | IntelliFET | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 尺寸 | 4.95 x 3.95 x 1.5mm | |
| 典型接通延迟时间 | 5000 ns | |
| 长度 | 4.95mm | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.2 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 600 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
封装类型 SM | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 2.13 W | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
典型关断延迟时间 45000 ns | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
系列 IntelliFET | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.5mm | ||
尺寸 4.95 x 3.95 x 1.5mm | ||
典型接通延迟时间 5000 ns | ||
长度 4.95mm | ||
宽度 3.95mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE