ZXMS6006DGTA , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.8 A, Vds=70 V, 4针 SOT-223封装
- RS 库存编号:
- 738-5210
- 制造商零件编号:
- ZXMS6006DGTA
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB8.16 | RMB40.80 |
| 25 - 45 | RMB6.64 | RMB33.20 |
| 50 - 120 | RMB5.96 | RMB29.80 |
| 125 - 245 | RMB5.28 | RMB26.40 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 738-5210
- 制造商零件编号:
- ZXMS6006DGTA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.8 A | |
| 最大漏源电压 | 70 V | |
| 最大漏源电阻值 | 125 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3+Tab | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 3 W | |
| 尺寸 | 6.55 x 3.55 x 1.65mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 宽度 | 3.55mm | |
| 典型接通延迟时间 | 8.6 μs | |
| 系列 | IntelliFET | |
| 典型关断延迟时间 | 34 μs | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 长度 | 6.55mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.8 A | ||
最大漏源电压 70 V | ||
最大漏源电阻值 125 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3+Tab | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 3 W | ||
尺寸 6.55 x 3.55 x 1.65mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
宽度 3.55mm | ||
典型接通延迟时间 8.6 μs | ||
系列 IntelliFET | ||
典型关断延迟时间 34 μs | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.65mm | ||
长度 6.55mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE