ZXMS6005DT8TA, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 1.8 A, Vds=70 V, 8针 SM8封装
- RS 库存编号:
- 738-5213
- 制造商零件编号:
- ZXMS6005DT8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB60.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB12.10 | RMB60.50 |
| 25 - 45 | RMB9.40 | RMB47.00 |
| 50 - 120 | RMB8.45 | RMB42.25 |
| 125 - 245 | RMB7.35 | RMB36.75 |
| 250 + | RMB7.258 | RMB36.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 738-5213
- 制造商零件编号:
- ZXMS6005DT8TA
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最大漏源电压 | 70 V | |
| 最大漏源电阻值 | 250 mΩ | |
| 封装类型 | SM | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | MOSFET 驱动器 | |
| 最大功率耗散 | 2.13 W | |
| 最高工作温度 | +125 °C | |
| 高度 | 1.7mm | |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.7mm | |
| 典型接通延迟时间 | 6000 ns | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 34000 ns | |
| 宽度 | 3.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.8 A | ||
最大漏源电压 70 V | ||
最大漏源电阻值 250 mΩ | ||
封装类型 SM | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 MOSFET 驱动器 | ||
最大功率耗散 2.13 W | ||
最高工作温度 +125 °C | ||
高度 1.7mm | ||
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm | ||
典型接通延迟时间 6000 ns | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
典型关断延迟时间 34000 ns | ||
宽度 3.7mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
长度 6.7mm | ||
- COO (Country of Origin):
- DE