Semelab N沟道增强型MOSFET管, Vds=60 V, 200 mA, LCC 1, 贴片安装, 3引脚, 2N7000CSM
- RS 库存编号:
- 738-7593
- 制造商零件编号:
- 2N7000CSM
- 制造商:
- Semelab
小计（1 件）*
RMB118.45
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(含税)
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB118.45 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 738-7593
- 制造商零件编号:
- 2N7000CSM
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 200 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | LCC 1 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 9 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 最大栅源电压 | -40 V, +40 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2.58mm | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.42mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 200 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 LCC 1 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 9 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
最大栅源电压 -40 V, +40 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2.58mm | ||
长度 3.04mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.42mm | ||
- COO (Country of Origin):
- GB