Semelab TetraFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET D1008UK, 10 A, Vds=70 V, 5引脚 DK封装
- RS 库存编号:
- 738-7663
- 制造商零件编号:
- D1008UK
- 制造商:
- Semelab
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB555.20 |
| 25 - 49 | RMB544.31 |
| 50 - 99 | RMB533.63 |
| 100 - 249 | RMB523.16 |
| 250 + | RMB512.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 738-7663
- 制造商零件编号:
- D1008UK
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最大漏源电压 | 70 V | |
| 最大栅阈值电压 | 7V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | DK | |
| 安装类型 | 面板安装 | |
| 晶体管配置 | 共源 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 175 W | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 6.47mm | |
| 高度 | 4.82mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 长度 | 24.76mm | |
| 尺寸 | 24.76 x 6.47 x 4.82mm | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 120 pF V @ 28 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10 A | ||
最大漏源电压 70 V | ||
最大栅阈值电压 7V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 DK | ||
安装类型 面板安装 | ||
晶体管配置 共源 | ||
引脚数目 5 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 射频 MOSFET | ||
最大功率耗散 175 W | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 6.47mm | ||
高度 4.82mm | ||
晶体管材料 Si | ||
长度 24.76mm | ||
尺寸 24.76 x 6.47 x 4.82mm | ||
最高工作温度 +200 °C | ||
典型输入电容值@Vds 120 pF V @ 28 | ||
- COO (Country of Origin):
- GB