D2013UK, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 4 A, Vds=65 V, 5针 DK封装
- RS 库存编号:
- 738-7714
- 制造商零件编号:
- D2013UK
- 制造商:
- Semelab
小计（1 件）*
RMB611.83
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB611.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 738-7714
- 制造商零件编号:
- D2013UK
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 4 A | |
| 最大漏源电压 | 65 V | |
| 最大栅阈值电压 | 7V | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | DK | |
| 安装类型 | 面板安装 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 晶体管配置 | 共源 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 83 W | |
| 长度 | 24.76mm | |
| 高度 | 5.08mm | |
| 尺寸 | 24.76 x 6.47 x 5.08mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型输入电容值@Vds | 48 pF V @ 0 | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 宽度 | 6.47mm | |
| 系列 | TetraFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 4 A | ||
最大漏源电压 65 V | ||
最大栅阈值电压 7V | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 DK | ||
安装类型 面板安装 | ||
引脚数目 5 | ||
晶体管配置 共源 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 射频 MOSFET | ||
最大功率耗散 83 W | ||
长度 24.76mm | ||
高度 5.08mm | ||
尺寸 24.76 x 6.47 x 5.08mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型输入电容值@Vds 48 pF V @ 0 | ||
最高工作温度 +200 °C | ||
宽度 6.47mm | ||
系列 TetraFET | ||
- COO (Country of Origin):
- GB