D2219UK, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 2 A, Vds=40 V, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 738-7755
- 制造商零件编号:
- D2219UK
- 制造商:
- Semelab
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小计（1 件）*
RMB391.66
(不含税)
RMB442.58
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB391.66 |
| 25 - 49 | RMB373.00 |
| 50 - 99 | RMB355.24 |
| 100 - 249 | RMB338.32 |
| 250 + | RMB322.21 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 738-7755
- 制造商零件编号:
- D2219UK
- 制造商:
- Semelab
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Semelab | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 射频 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 17.5 W | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 4.06 x 5.08 x 2.18mm | |
| 长度 | 4.06mm | |
| 宽度 | 5.08mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 12 pF @ 0 V | |
| 高度 | 2.18mm | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 系列 | TetraFET | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Semelab | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 射频 MOSFET | ||
最大功率耗散 17.5 W | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 4.06 x 5.08 x 2.18mm | ||
长度 4.06mm | ||
宽度 5.08mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 12 pF @ 0 V | ||
高度 2.18mm | ||
最高工作温度 +200 °C | ||
系列 TetraFET | ||
- COO (Country of Origin):
- GB