FDD8880 , N沟道 MOSFET 晶体管, 58 A, Vds=30 V, 3针 D-PAK封装
- RS 库存编号:
- 739-0151
- 制造商零件编号:
- FDD8880
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB4.496 | RMB22.48 |
| 25 - 95 | RMB3.518 | RMB17.59 |
| 100 - 245 | RMB2.504 | RMB12.52 |
| 250 - 495 | RMB2.386 | RMB11.93 |
| 500 + | RMB2.272 | RMB11.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 739-0151
- 制造商零件编号:
- FDD8880
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 58 | |
| 最大漏源电压 Vd | 30 | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 包装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 175 | |
| 长度 | 6.73 | |
| 宽度 | 6.22 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 2.39 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 58 | ||
最大漏源电压 Vd 30 | ||
系列 PowerTrench | ||
包装类型 DPAK | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 175 | ||
长度 6.73 | ||
宽度 6.22 | ||
标准/认证 No | ||
高度 2.39 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN