FDMS86252 , N沟道 MOSFET 晶体管, 24 A, Vds=150 V, 8针 Power 56封装
- RS 库存编号:
- 739-4863
- 制造商零件编号:
- FDMS86252
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB9.58
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB9.58 |
| 10 - 49 | RMB7.88 |
| 50 - 99 | RMB7.72 |
| 100 - 249 | RMB6.33 |
| 250 + | RMB6.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 739-4863
- 制造商零件编号:
- FDMS86252
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 24 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 96 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | Power 56 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 69 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 15 ns | |
| 宽度 | 6mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 7.7 ns | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 678 pF@ 75 V | |
| 长度 | 5mm | |
| 尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 24 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 96 mΩ | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 Power 56 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 69 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 15 ns | ||
宽度 6mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 7.7 ns | ||
高度 1.05mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 678 pF@ 75 V | ||
长度 5mm | ||
尺寸 5 x 6 x 1.05mm | ||