FDZ193P , P沟道 MOSFET 晶体管, 3 A, Vds=-20 V, 6针 WL-CSP封装

品牌

Fairchild Semiconductor

通道类型

P

最大连续漏极电流

3 A

最大漏源电压

20 V

最大漏源电阻值

300 mΩ

最大栅源电压

-12 V、+12 V

封装类型

WLCSP

安装类型

表面贴装

引脚数目

6

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

1.9 W

尺寸

1 x 1.5 x 0.65mm

典型接通延迟时间

13 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

7 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds

660 pF @ -10 V

典型关断延迟时间

28 ns

长度

1mm

每片芯片元件数目

1

宽度

1.5mm

高度

0.65mm

最高工作温度

+150 °C