FDZ375P , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.7 A, Vds=-20 V, 4针 WL CSP 1 x 1，薄型封装
- RS 库存编号:
- 739-4923P
- 制造商零件编号:
- FDZ375P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 49 | RMB22.20 |
| 50 - 99 | RMB18.30 |
| 100 - 249 | RMB16.20 |
| 250 + | RMB14.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 739-4923P
- 制造商零件编号:
- FDZ375P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | WLCSP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.7 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 650 pF @ -10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 138 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 尺寸 | 1 x 1 x 0.4mm | |
| 典型接通延迟时间 | 5.3 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1mm | |
| 高度 | 0.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 1mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ 4.5 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 150 mΩ | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 WLCSP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 4 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.7 W | ||
典型输入电容值@Vds 650 pF @ -10 V | ||
典型关断延迟时间 138 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
尺寸 1 x 1 x 0.4mm | ||
典型接通延迟时间 5.3 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1mm | ||
高度 0.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
长度 1mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 11 nC @ 4.5 V | ||