FDFMA2N028Z , N沟道 MOSFET 晶体管, 3.7 A, Vds=20 V, 6针 MicroFET封装

品牌

Fairchild Semiconductor

通道类型

N

最大连续漏极电流

3.7 A

最大漏源电压

20 V

最大漏源电阻值

90 mΩ

最大栅源电压

-12 V、+12 V

封装类型

MLP

安装类型

表面贴装

引脚数目

6

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

1.4 W

宽度

2mm

每片芯片元件数目

1

高度

0.75mm

典型关断延迟时间

14 ns

典型输入电容值@Vds

340 pF @ 10 V

典型栅极电荷@Vgs

4 nC @ 4.5 V

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+150 °C

长度

2mm

尺寸

2 x 2 x 0.75mm

典型接通延迟时间

8 ns