FDFMA2P029Z , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.1 A, Vds=-20 V, 6针 MicroFET封装
- RS 库存编号:
- 739-6197P
- 制造商零件编号:
- FDFMA2P029Z
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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RMB94.975
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB3.362 |
| 100 - 245 | RMB2.398 |
| 250 - 495 | RMB2.284 |
| 500 + | RMB2.174 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 739-6197P
- 制造商零件编号:
- FDFMA2P029Z
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.1 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 141 mΩ | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.4 W | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 540 pF @ -10 V | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 37 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 2mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.1 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 141 mΩ | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 MLP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.4 W | ||
长度 2mm | ||
尺寸 2 x 2 x 0.75mm | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 540 pF @ -10 V | ||
高度 0.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 37 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 2mm | ||