FDFMA2P853 , P沟道 MOSFET 晶体管, 3 A, Vds=-20 V, 6针 MicroFET封装

品牌

Fairchild Semiconductor

通道类型

P

最大连续漏极电流

3 A

最大漏源电压

20 V

最大漏源电阻值

240 mΩ

最大栅源电压

-8 V、+8 V

封装类型

MLP

安装类型

表面贴装

引脚数目

6

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

1.4 W

尺寸

2 x 2 x 0.75mm

最低工作温度

-55 °C

最高工作温度

+150 °C

高度

0.75mm

长度

2mm

典型栅极电荷@Vgs

4 nC @ 10 V

宽度

2mm

每片芯片元件数目

1

典型关断延迟时间

15 ns

典型输入电容值@Vds

435 pF @ -10 V

典型接通延迟时间

9 ns