FDMA291P , P沟道 MOSFET 晶体管, 6.6 A, Vds=-20 V, 6针 MicroFET封装
- RS 库存编号:
- 739-6238
- 制造商零件编号:
- FDMA291P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
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小计（1 包，共 5 件）*
RMB18.88
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RMB21.335
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB3.776 | RMB18.88 |
| 25 - 95 | RMB2.542 | RMB12.71 |
| 100 - 245 | RMB1.758 | RMB8.79 |
| 250 - 495 | RMB1.722 | RMB8.61 |
| 500 + | RMB1.688 | RMB8.44 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 739-6238
- 制造商零件编号:
- FDMA291P
- 制造商:
- Fairchild Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Fairchild Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 6.6 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 98 mΩ | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | MLP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.4 W | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 42 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1000 pF @ -10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 2mm | |
| 尺寸 | 2 x 2 x 0.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Fairchild Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 6.6 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 98 mΩ | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 MLP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.4 W | ||
系列 PowerTrench | ||
高度 0.75mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 42 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1000 pF @ -10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 13 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V | ||
宽度 2mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 2mm | ||
尺寸 2 x 2 x 0.75mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN