DL2M100N5, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=500 V, 6针 6DM-2封装
- RS 库存编号:
- 742-3356P
- 制造商零件编号:
- DL2M100N5
- 制造商:
- DAWIN Electronics
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RMB616.98
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 4 | RMB273.00 |
| 5 - 9 | RMB245.00 |
| 10 - 24 | RMB214.00 |
| 25 + | RMB196.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 742-3356P
- 制造商零件编号:
- DL2M100N5
- 制造商:
- DAWIN Electronics
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DAWIN Electronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 500 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.06 Ω | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 封装类型 | 6DM-2 | |
| 安装类型 | 螺丝安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1000 W | |
| 尺寸 | 66 x 34 x 8mm | |
| 长度 | 66mm | |
| 典型接通延迟时间 | 220 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 12000 pF V @ 25 | |
| 典型关断延迟时间 | 575 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 8mm | |
| 最低工作温度 | -40 °C | |
| 宽度 | 34mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 250 nC V @ 10 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DAWIN Electronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 500 V | ||
最大漏源电阻值 0.06 Ω | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
封装类型 6DM-2 | ||
安装类型 螺丝安装 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 消耗 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1000 W | ||
尺寸 66 x 34 x 8mm | ||
长度 66mm | ||
典型接通延迟时间 220 ns | ||
典型输入电容值@Vds 12000 pF V @ 25 | ||
典型关断延迟时间 575 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 8mm | ||
最低工作温度 -40 °C | ||
宽度 34mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型栅极电荷@Vgs 250 nC V @ 10 | ||
- COO (Country of Origin):
- KR