TSM2307CX RF , P沟道 MOSFET 晶体管, 3 A, Vds=-30 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 743-6030
- 制造商零件编号:
- TSM2307CX RF
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB2.161 | RMB54.03 |
| 50 - 100 | RMB1.51 | RMB37.75 |
| 125 - 225 | RMB1.383 | RMB34.58 |
| 250 + | RMB1.256 | RMB31.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 743-6030
- 制造商零件编号:
- TSM2307CX RF
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 140 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 1.25 W | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 典型关断延迟时间 | 50 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 565 pF @ -15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 20 ns | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
最大漏源电阻值 140 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 1.25 W | ||
宽度 1.7mm | ||
典型关断延迟时间 50 ns | ||
典型输入电容值@Vds 565 pF @ -15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 20 ns | ||
高度 1.2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 3.1mm | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||