TSM3443CX6 RF , P沟道 MOSFET 晶体管, 4.7 A, Vds=-20 V, 6针 SOT-26封装

品牌

Taiwan Semiconductor

通道类型

P

最大连续漏极电流

4.7 A

最大漏源电压

20 V

最大漏源电阻值

100 mΩ

最大栅源电压

-12 V、+12 V

封装类型

SOT-26

安装类型

表面贴装

引脚数目

6

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2 W

高度

1.1mm

最高工作温度

+150 °C

典型接通延迟时间

35 ns

最低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

6 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds

640 pF @ -10 V

典型关断延迟时间

70 ns

宽度

1.7mm

每片芯片元件数目

1

长度

3.1mm

尺寸

3.1 x 1.7 x 1.1mm