TSM2318CX RF , N沟道 MOSFET 晶体管, 3.9 A, Vds=40 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 743-6065
- 制造商零件编号:
- TSM2318CX RF
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB3.576 | RMB35.76 |
| 20 - 40 | RMB2.393 | RMB23.93 |
| 50 - 90 | RMB2.154 | RMB21.54 |
| 100 + | RMB1.963 | RMB19.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 743-6065
- 制造商零件编号:
- TSM2318CX RF
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 3.9 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 62 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 1.25 W | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型输入电容值@Vds | 540 pF@ 20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.2mm | |
| 典型接通延迟时间 | 5 ns | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 3.9 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 62 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 1.25 W | ||
宽度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型输入电容值@Vds 540 pF@ 20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.2mm | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm | ||
典型接通延迟时间 5 ns | ||
长度 3.1mm | ||