TSM2313CX RF , P沟道 MOSFET 晶体管, 3.3 A, Vds=-20 V, 3针 SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 743-6068
- 制造商零件编号:
- TSM2313CX RF
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
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|---|---|---|
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| 100 - 190 | RMB0.90 | RMB9.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 743-6068
- 制造商零件编号:
- TSM2313CX RF
- 制造商:
- Taiwan Semiconductor
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Taiwan Semiconductor | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 3.3 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 130 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.4V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 典型接通延迟时间 | 35 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 640 pF @ -10 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 3.1 x 1.7 x 1.2mm | |
| 宽度 | 1.7mm | |
| 典型关断延迟时间 | 70 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6 nC @ 4.5 V | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Taiwan Semiconductor | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 3.3 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 130 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.4V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
最大功率耗散 2 W | ||
典型接通延迟时间 35 ns | ||
典型输入电容值@Vds 640 pF @ -10 V | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm | ||
宽度 1.7mm | ||
典型关断延迟时间 70 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.2mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6 nC @ 4.5 V | ||
长度 3.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- TW