AUIRF1404S , N沟道 MOSFET 晶体管, 162 A, Vds=40 V, 4针 D2PAK封装
- RS 库存编号:
- 748-1765
- 制造商零件编号:
- AUIRF1404S
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB27.16
(不含税)
RMB30.69
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB27.16 |
| 10 - 49 | RMB16.97 |
| 50 - 99 | RMB16.38 |
| 100 - 249 | RMB15.50 |
| 250 + | RMB14.42 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 748-1765
- 制造商零件编号:
- AUIRF1404S
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 162 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.004 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 200 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 7360 pF@ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 72 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 160 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 162 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
最大漏源电阻值 0.004 Ω | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 200 W | ||
典型输入电容值@Vds 7360 pF@ 25 V | ||
典型关断延迟时间 72 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 160 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 10.67mm | ||
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm | ||
宽度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 4.83mm | ||
典型接通延迟时间 17 ns | ||