AUIRFR4615 , N沟道 MOSFET 晶体管, 33 A, Vds=150 V, 4针 TO-252AA封装
- RS 库存编号:
- 748-1853
- 制造商零件编号:
- AUIRFR4615
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB14.59
(不含税)
RMB16.49
(含税)
有库存
- 另外 42 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB14.59 |
| 25 - 99 | RMB11.35 |
| 100 - 249 | RMB10.18 |
| 250 - 499 | RMB8.88 |
| 500 + | RMB8.16 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 748-1853
- 制造商零件编号:
- AUIRFR4615
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 33 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 42 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 144 W | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 1750 pF @ 50 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 系列 | HEXFET | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 33 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 42 mΩ | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 144 W | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型关断延迟时间 25 ns | ||
典型输入电容值@Vds 1750 pF @ 50 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 26 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 15 ns | ||
高度 2.39mm | ||
系列 HEXFET | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 6.22mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
长度 6.73mm | ||