Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 51 A, D2PAK (TO-263), 贴片安装, 3引脚, AUIRLZ44ZS
- RS 库存编号:
- 748-1923
- 制造商零件编号:
- AUIRLZ44ZS
- 制造商:
- International Rectifier
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB72.15
(不含税)
RMB81.55
(含税)
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB14.43 | RMB72.15 |
| 25 - 95 | RMB9.10 | RMB45.50 |
| 100 - 245 | RMB8.30 | RMB41.50 |
| 250 - 495 | RMB7.70 | RMB38.50 |
| 500 + | RMB7.20 | RMB36.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 748-1923
- 制造商零件编号:
- AUIRLZ44ZS
- 制造商:
- International Rectifier
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | International Rectifier | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 51 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 22.5 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 80 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 24 nC @ 5 V | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 International Rectifier | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 51 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
封装类型 D2PAK (TO-263) | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 22.5 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 80 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 24 nC @ 5 V | ||
宽度 9.65mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
长度 10.67mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
高度 4.83mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||