FC8V22040L, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=24 V, 8针 WMini8-F1封装
- RS 库存编号:
- 749-8246
- 制造商零件编号:
- FC8V22040L
- 制造商:
- Panasonic
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
RMB41.64
(不含税)
RMB47.055
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | RMB8.328 | RMB41.64 |
| 25 - 45 | RMB6.482 | RMB32.41 |
| 50 - 120 | RMB5.808 | RMB29.04 |
| 125 - 245 | RMB5.088 | RMB25.44 |
| 250 + | RMB4.638 | RMB23.19 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 749-8246
- 制造商零件编号:
- FC8V22040L
- 制造商:
- Panasonic
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Panasonic | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 24 V | |
| 最大漏源电阻值 | 20 MΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | WMini8-F1 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.2 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 4400 ns | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型接通延迟时间 | 0.6 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.83mm | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | FC | |
| 高度 | 0.83mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Panasonic | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 24 V | ||
最大漏源电阻值 20 MΩ | ||
最大栅阈值电压 1.5V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 WMini8-F1 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.2 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型关断延迟时间 4400 ns | ||
宽度 2.4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型接通延迟时间 0.6 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2.9 x 2.4 x 0.83mm | ||
长度 2.9mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 FC | ||
高度 0.83mm | ||