FK8V03050L , N沟道 MOSFET 晶体管, 10 A, Vds=33 V, 8针 WMini8-F1封装
- RS 库存编号:
- 749-8249P
- 制造商零件编号:
- FK8V03050L
- 制造商:
- Panasonic
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 90 | RMB4.614 |
| 100 - 240 | RMB3.297 |
| 250 - 490 | RMB3.141 |
| 500 + | RMB2.971 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 749-8249P
- 制造商零件编号:
- FK8V03050L
- 制造商:
- Panasonic
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Panasonic | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 10 A | |
| 最大漏源电压 | 33 V | |
| 最大漏源电阻值 | 25 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | WMini8-F1 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.83mm | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.83mm | |
| 系列 | FK | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 8 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5.1 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 520 pF@ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 32 ns | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Panasonic | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 10 A | ||
最大漏源电压 33 V | ||
最大漏源电阻值 25 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 WMini8-F1 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.5 W | ||
尺寸 2.9 x 2.4 x 0.83mm | ||
宽度 2.4mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.83mm | ||
系列 FK | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 8 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 5.1 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 520 pF@ 10 V | ||
典型关断延迟时间 32 ns | ||
长度 2.9mm | ||