DMG3415UFY4-7 , P沟道 MOSFET 晶体管, 2.5 A, Vds=-16 V, 3针 DFN封装
- RS 库存编号:
- 751-4098P
- 制造商零件编号:
- DMG3415UFY4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 125 - 725 | RMB1.71 |
| 750 - 1475 | RMB1.54 |
| 1500 - 2975 | RMB1.342 |
| 3000 + | RMB1.234 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 751-4098P
- 制造商零件编号:
- DMG3415UFY4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 最大漏源电压 | 16 V | |
| 最大漏源电阻值 | 65 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | DFN | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 490 mW | |
| 尺寸 | 2.075 x 1.575 x 0.35mm | |
| 长度 | 2.08mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 884.5 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 281.9 pF @ -10 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 4.5 V | |
| 宽度 | 1.575mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 79 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 2.5 A | ||
最大漏源电压 16 V | ||
最大漏源电阻值 65 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 DFN | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 490 mW | ||
尺寸 2.075 x 1.575 x 0.35mm | ||
长度 2.08mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 884.5 ns | ||
典型输入电容值@Vds 281.9 pF @ -10 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 10 nC @ 4.5 V | ||
宽度 1.575mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 79 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.35mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN