DMG9926USD-13, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=20 V, 8针 SOP 8L封装
- RS 库存编号:
- 751-4124
- 制造商零件编号:
- DMG9926USD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB51.75
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB2.07 | RMB51.75 |
| 125 - 600 | RMB1.612 | RMB40.30 |
| 625 - 1225 | RMB1.45 | RMB36.25 |
| 1250 - 2475 | RMB1.26 | RMB31.50 |
| 2500 + | RMB1.162 | RMB29.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 751-4124
- 制造商零件编号:
- DMG9926USD-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 8 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 37 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V | |
| 封装类型 | SOP | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 典型关断延迟时间 | 64.8 ns | |
| 宽度 | 3.95mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 13.2 ns | |
| 尺寸 | 4.95 x 3.95 x 1.5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 4.95mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 867 pF @ 15 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8.8 nC @ 4.5 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 8 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 37 mΩ | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最大栅源电压 -8 V、+8 V | ||
封装类型 SOP | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
典型关断延迟时间 64.8 ns | ||
宽度 3.95mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 13.2 ns | ||
尺寸 4.95 x 3.95 x 1.5mm | ||
高度 1.5mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 4.95mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 867 pF @ 15 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 8.8 nC @ 4.5 V | ||
- COO (Country of Origin):
- CN