DMN2400UV-7, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 1.33 A, Vds=20 V, 6针 SOT-563封装
- RS 库存编号:
- 751-4155
- 制造商零件编号:
- DMN2400UV-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 50 件）*
RMB57.60
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RMB65.10
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.152 | RMB57.60 |
| 250 - 450 | RMB0.90 | RMB45.00 |
| 500 - 1450 | RMB0.81 | RMB40.50 |
| 1500 - 2950 | RMB0.702 | RMB35.10 |
| 3000 + | RMB0.648 | RMB32.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 751-4155
- 制造商零件编号:
- DMN2400UV-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1.33 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.5 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | SOT-563 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 530 mW | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.5 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 36 pF@ 16 V | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 13.74 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 4.06 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.25 x 0.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1.33 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 1.5 Ω | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 SOT-563 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 530 mW | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.5 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 36 pF@ 16 V | ||
高度 0.6mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型关断延迟时间 13.74 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 4.06 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 1.25mm | ||
长度 1.7mm | ||
尺寸 1.7 x 1.25 x 0.6mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN