DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN26D0UDJ-7, 240 mA, Vds=20 V, 6针 SOT-963封装
- RS 库存编号:
- 751-4159
- 制造商零件编号:
- DMN26D0UDJ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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小计（1 包，共 50 件）*
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | RMB1.37 | RMB68.50 |
| 250 - 1200 | RMB1.07 | RMB53.50 |
| 1250 - 4950 | RMB0.96 | RMB48.00 |
| 5000 - 9950 | RMB0.84 | RMB42.00 |
| 10000 + | RMB0.77 | RMB38.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 751-4159
- 制造商零件编号:
- DMN26D0UDJ-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 240 mA | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | Ω10 | |
| 最大栅阈值电压 | 1.05V | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+10 V | |
| 封装类型 | SOT-963 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 300 mW | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 1.05 x 0.85 x 0.45mm | |
| 典型关断延迟时间 | 13.4 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 14.1 pF @ 15 V | |
| 宽度 | 0.85mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 0.45mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 3.8 ns | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 240 mA | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 Ω10 | ||
最大栅阈值电压 1.05V | ||
最大栅源电压 -10 V、+10 V | ||
封装类型 SOT-963 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 6 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 300 mW | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 1.05 x 0.85 x 0.45mm | ||
典型关断延迟时间 13.4 ns | ||
典型输入电容值@Vds 14.1 pF @ 15 V | ||
宽度 0.85mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 0.45mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 3.8 ns | ||
长度 1.05mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN