DMN66D0LDW-7, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 0.115 A, Vds=60 V, 6针 SOT-363封装
- RS 库存编号:
- 751-4212
- 制造商零件编号:
- DMN66D0LDW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计（1 包，共 25 件）*
RMB53.55
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RMB60.50
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | RMB2.142 | RMB53.55 |
| 125 - 725 | RMB1.674 | RMB41.85 |
| 750 - 1475 | RMB1.504 | RMB37.60 |
| 1500 - 2975 | RMB1.306 | RMB32.65 |
| 3000 + | RMB1.198 | RMB29.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 751-4212
- 制造商零件编号:
- DMN66D0LDW-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-88) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 250 mW | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型关断延迟时间 | 33 ns | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 尺寸 | 2.2 x 1.35 x 1mm | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 2.2mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 1.35mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 23 pF @ 25 V | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 115 mA | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 6 Ω | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-363 (SC-88) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 6 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 250 mW | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型关断延迟时间 33 ns | ||
晶体管材料 Si | ||
尺寸 2.2 x 1.35 x 1mm | ||
高度 1mm | ||
长度 2.2mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 1.35mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 23 pF @ 25 V | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN