ZXMC10A816N8TC, 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管, 8针 SO封装
- RS 库存编号:
- 751-5335P
- 制造商零件编号:
- ZXMC10A816N8TC
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 240 | RMB6.63 |
| 250 - 1240 | RMB5.954 |
| 1250 - 2490 | RMB5.187 |
| 2500 + | RMB4.758 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 751-5335P
- 制造商零件编号:
- ZXMC10A816N8TC
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N，P | |
| 最大连续漏极电流 | 2.3 A，2.4 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 300 mΩ、320 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.4 W, 2.6 W | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型接通延迟时间 | 2.9 ns、4.3 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 9.2 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 典型输入电容值@Vds | 497 pF@ 50 V, 717 pF@ -50 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型关断延迟时间 | 12.1 ns, 20 ns | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N，P | ||
最大连续漏极电流 2.3 A，2.4 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 300 mΩ、320 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.4 W, 2.6 W | ||
尺寸 5 x 4 x 1.5mm | ||
长度 5mm | ||
典型接通延迟时间 2.9 ns、4.3 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 9.2 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 1.5mm | ||
典型输入电容值@Vds 497 pF@ 50 V, 717 pF@ -50 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型关断延迟时间 12.1 ns, 20 ns | ||
- COO (Country of Origin):
- CN