ZXMN15A27KTC , N沟道 MOSFET 晶体管, 2.55 A, Vds=150 V, 3针 TO-252封装
- RS 库存编号:
- 751-5357
- 制造商零件编号:
- ZXMN15A27KTC
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | RMB3.889 | RMB38.89 |
| 50 - 240 | RMB3.034 | RMB30.34 |
| 250 - 1240 | RMB2.719 | RMB27.19 |
| 1250 - 2490 | RMB2.377 | RMB23.77 |
| 2500 + | RMB2.179 | RMB21.79 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 751-5357
- 制造商零件编号:
- ZXMN15A27KTC
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 650 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 9.5 W | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 3.3 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 17.1 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.6 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 169 pF@ 25 V | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.5 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 650 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最大栅源电压 -25 V、+25 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 9.5 W | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 3.3 ns | ||
典型关断延迟时间 17.1 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.6 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 169 pF@ 25 V | ||
高度 2.39mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN