2N7002 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.30 A, Vds=60 V, 3针 PG-SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 752-7773
- 制造商零件编号:
- 2N7002
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 100 - 2400 | RMB0.172 | RMB17.20 |
| 2500 - 9900 | RMB0.159 | RMB15.90 |
| 10000 - 49900 | RMB0.152 | RMB15.20 |
| 50000 - 299900 | RMB0.147 | RMB14.70 |
| 300000 + | RMB0.137 | RMB13.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 752-7773
- 制造商零件编号:
- 2N7002
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 300 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.4 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 最大功耗 Pd | 500 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 2.9 | |
| 高度 | 1 | |
| 宽度 | 1.3 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 300 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.4 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
最大功耗 Pd 500 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 2.9 | ||
高度 1 | ||
宽度 1.3 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||