BSC026N02KS G , N沟道 MOSFET 晶体管, 100 A, Vds=20 V, 8针 PG-TDSON-8封装
- RS 库存编号:
- 752-8154
- 制造商零件编号:
- BSC026N02KS G
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 2 件）*
RMB21.25
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RMB24.012
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB10.625 | RMB21.25 |
| 50 - 198 | RMB8.455 | RMB16.91 |
| 200 - 998 | RMB6.215 | RMB12.43 |
| 1000 - 9998 | RMB5.555 | RMB11.11 |
| 10000 + | RMB5.445 | RMB10.89 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 752-8154
- 制造商零件编号:
- BSC026N02KS G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 100 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 最大漏源电阻值 | 4.5 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.7V | |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V | |
| 封装类型 | TDSON | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 2.8 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 40 nC @ 4.5 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 5900 pF @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 52 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 21 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 系列 | OptiMOS 2 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 尺寸 | 6.35 x 5.35 x 1.1mm | |
| 宽度 | 5.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 100 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
最大漏源电阻值 4.5 mΩ | ||
最大栅阈值电压 1.2V | ||
最小栅阈值电压 0.7V | ||
最大栅源电压 -12 V、+12 V | ||
封装类型 TDSON | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 2.8 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 40 nC @ 4.5 V | ||
典型输入电容值@Vds 5900 pF @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 52 ns | ||
典型接通延迟时间 21 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
高度 1.1mm | ||
系列 OptiMOS 2 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 6.35mm | ||
尺寸 6.35 x 5.35 x 1.1mm | ||
宽度 5.35mm | ||