Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=240 V, 260 mA, SOT-89, 表面安装, 3引脚, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 752-8249
- 制造商零件编号:
- BSS87
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB42.95
(不含税)
RMB48.53
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | RMB4.295 | RMB42.95 |
| 250 - 990 | RMB3.355 | RMB33.55 |
| 1000 - 4990 | RMB3.003 | RMB30.03 |
| 5000 - 9990 | RMB2.623 | RMB26.23 |
| 10000 + | RMB2.405 | RMB24.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 752-8249
- 制造商零件编号:
- BSS87
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 260 | |
| 最大漏源电压 Vd | 240 | |
| 包装类型 | SOT-89 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.7 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最大功耗 Pd | 1 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 1.5 | |
| 宽度 | 2.5 | |
| 长度 | 4.5 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 260 | ||
最大漏源电压 Vd 240 | ||
包装类型 SOT-89 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.7 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最大功耗 Pd 1 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 1.5 | ||
宽度 2.5 | ||
长度 4.5 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||