BSZ100N03MS G , N沟道 MOSFET 晶体管, 40 A, Vds=30 V, 8针 PG-TDSON-8封装

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

40 A

最大漏源电压

30 V

最大漏源电阻值

11.4 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TDSON

安装类型

表面贴装

引脚数目

8

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

2.1 W

每片芯片元件数目

1

典型关断延迟时间

16 ns

高度

1.1mm

最高工作温度

+150 °C

长度

3.4mm

典型输入电容值@Vds

1300 pF @ 15 V

典型栅极电荷@Vgs

8.3 nC @ 4.5 V

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

3.8 ns

宽度

3.4mm

尺寸

3.4 x 3.4 x 1.1mm