BSZ100N06LS3 G , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=60 V, 8针 PG-TDSON-8封装
- RS 库存编号:
- 752-8255
- 制造商零件编号:
- BSZ100N06LS3 G
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | RMB7.80 | RMB39.00 |
| 125 - 495 | RMB6.05 | RMB30.25 |
| 500 - 2495 | RMB5.45 | RMB27.25 |
| 2500 - 24995 | RMB4.75 | RMB23.75 |
| 25000 + | RMB4.36 | RMB21.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 752-8255
- 制造商零件编号:
- BSZ100N06LS3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 最大功耗 Pd | 2.1 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 长度 | 3.4 | |
| 宽度 | 3.4 | |
| 高度 | 1.1 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
最大功耗 Pd 2.1 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 150 | ||
长度 3.4 | ||
宽度 3.4 | ||
高度 1.1 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||