BSZ100N06LS3 G , N沟道 MOSFET 晶体管, 20 A, Vds=60 V, 8针 PG-TDSON-8封装

可享批量折扣

小计 125 件 (按连续条带形式提供)*

RMB756.25

(不含税)

RMB855.00

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看

单位
每单位
125 - 495RMB6.05
500 - 2495RMB5.45
2500 - 24995RMB4.75
25000 +RMB4.36

* 参考价格

Packaging Options:
RS 库存编号:
752-8255P
制造商零件编号:
BSZ100N06LS3 G
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

20

最大漏源电压 Vd

60

包装类型

TDSON

系列

OptiMOS 3

安装类型

表面安装

引脚数目

8

通道模式

增强

最大功耗 Pd

2.1

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15

最低工作温度

-55

最大栅源电压 Vgs

20

正向电压 Vf

1.2

最高工作温度

150

标准/认证

No

宽度

3.4

高度

1.1

长度

3.4

汽车标准