BUZ73 H , N沟道 MOSFET 晶体管, 7 A, Vds=200 V, 3针 PG-TO-220-3封装

查看所有MOSFET
不可供应
RS 不再对该产品备货。
Packaging Options:
RS 库存编号:
752-8283
制造商零件编号:
BUZ73 H
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

7 A

最大漏源电压

200 V

最大漏源电阻值

400 mΩ

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

40 W

高度

9.45mm

最低工作温度

-55 °C

典型输入电容值@Vds

400 pF @ 25 V

典型关断延迟时间

55 ns

宽度

4.57mm

每片芯片元件数目

1

长度

10.36mm

尺寸

10.36 x 4.57 x 9.45mm

典型接通延迟时间

10 ns

最高工作温度

+150 °C