IPD200N15N3 G , N沟道 MOSFET 晶体管, 50 A, Vds=150 V, 3针 PG-TO-252-3封装
- RS 库存编号:
- 752-8369
- 制造商零件编号:
- IPD200N15N3 G
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | RMB9.155 | RMB18.31 |
| 50 - 198 | RMB8.75 | RMB17.50 |
| 200 - 998 | RMB8.50 | RMB17.00 |
| 1000 - 4998 | RMB8.265 | RMB16.53 |
| 5000 + | RMB7.935 | RMB15.87 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 752-8369
- 制造商零件编号:
- IPD200N15N3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 50 A | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 20 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 高度 | 2.41mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| 典型输入电容值@Vds | 1820 pF @ 75 V | |
| 典型关断延迟时间 | 23 ns | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.41mm | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 50 A | ||
最大漏源电压 150 V | ||
最大漏源电阻值 20 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 150 W | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 14 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
高度 2.41mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 23 nC @ 10 V | ||
典型输入电容值@Vds 1820 pF @ 75 V | ||
典型关断延迟时间 23 ns | ||
长度 6.73mm | ||
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.41mm | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||