IPP110N20N3 G , N沟道 MOSFET 晶体管, 88 A, Vds=200 V, 3针 PG-TO-220-3封装
- RS 库存编号:
- 752-8381
- 制造商零件编号:
- IPP110N20N3 G
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB41.53
(不含税)
RMB46.93
(含税)
有限的库存
- 另外 131 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB41.53 |
| 25 - 99 | RMB33.39 |
| 100 - 499 | RMB30.43 |
| 500 - 999 | RMB24.64 |
| 1000 + | RMB24.61 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 752-8381
- 制造商零件编号:
- IPP110N20N3 G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 88 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 11 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 300 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 5340 pF @ 100 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.57mm | |
| 高度 | 9.45mm | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型关断延迟时间 | 41 ns | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 尺寸 | 10.36 x 4.57 x 9.45mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 88 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
最大漏源电阻值 11 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 300 W | ||
典型输入电容值@Vds 5340 pF @ 100 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.57mm | ||
高度 9.45mm | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型关断延迟时间 41 ns | ||
长度 10.36mm | ||
典型接通延迟时间 18 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 65 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
尺寸 10.36 x 4.57 x 9.45mm | ||