BSO615N G, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 2.6 A, Vds=60 V, 8针 SO-8封装
- RS 库存编号:
- 753-2797
- 制造商零件编号:
- BSO615N G
- 制造商:
- Infineon
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RMB43.25
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | RMB8.65 | RMB43.25 |
| 125 - 495 | RMB6.75 | RMB33.75 |
| 500 - 2495 | RMB6.05 | RMB30.25 |
| 2500 - 12495 | RMB5.25 | RMB26.25 |
| 12500 + | RMB4.84 | RMB24.20 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-2797
- 制造商零件编号:
- BSO615N G
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 2.6 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 150 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 晶体管配置 | 隔离式 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 2 W | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型输入电容值@Vds | 300 pF @ 25 V | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 2.6 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
最大漏源电阻值 150 mΩ | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOIC | ||
安装类型 表面贴装 | ||
引脚数目 8 | ||
晶体管配置 隔离式 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 2 W | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
典型输入电容值@Vds 300 pF @ 25 V | ||
系列 SIPMOS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
典型接通延迟时间 12 ns | ||
典型关断延迟时间 20 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||