Infineon N沟道消耗型MOSFET, Vds=60 V, 230 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SIPMOS系列
- RS 库存编号:
- 753-2841
- 制造商零件编号:
- BSS159N
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 600 | RMB1.126 | RMB28.15 |
| 625 - 2475 | RMB0.882 | RMB22.05 |
| 2500 - 12475 | RMB0.792 | RMB19.80 |
| 12500 - 74975 | RMB0.684 | RMB17.10 |
| 75000 + | RMB0.63 | RMB15.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-2841
- 制造商零件编号:
- BSS159N
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 230 | |
| 最大漏源电压 Vd | 60 | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 360 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 正向电压 Vf | 1.2 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.4 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 高度 | 1 | |
| 长度 | 2.9 | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.3 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 230 | ||
最大漏源电压 Vd 60 | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 消耗 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 360 | ||
最低工作温度 -55 | ||
正向电压 Vf 1.2 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.4 | ||
最高工作温度 150 | ||
高度 1 | ||
长度 2.9 | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.3 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||