BSS169 , N沟道 MOSFET 晶体管, 0.17 A, Vds=100 V, 3针 PG-SOT-23封装
- RS 库存编号:
- 753-2844
- 制造商零件编号:
- BSS169
- 制造商:
- Infineon
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小计（1 包，共 25 件）*
RMB40.625
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 600 | RMB1.625 | RMB40.63 |
| 625 - 2475 | RMB1.274 | RMB31.85 |
| 2500 - 12475 | RMB1.144 | RMB28.60 |
| 12500 - 74975 | RMB0.988 | RMB24.70 |
| 75000 + | RMB0.91 | RMB22.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-2844
- 制造商零件编号:
- BSS169
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 170 mA | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 12 Ω | |
| 最大栅阈值电压 | 1.8V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.9V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 最大功率耗散 | 360 mW | |
| 高度 | 1mm | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 1mm | |
| 宽度 | 1.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 2.9 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 51 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 11 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 0.12 nC @ 7 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 170 mA | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 12 Ω | ||
最大栅阈值电压 1.8V | ||
最小栅阈值电压 2.9V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面贴装 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 消耗 | ||
类别 小信号 | ||
最大功率耗散 360 mW | ||
高度 1mm | ||
系列 SIPMOS | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.9mm | ||
尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm | ||
宽度 1.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 2.9 ns | ||
典型输入电容值@Vds 51 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 11 ns | ||
典型栅极电荷@Vgs 0.12 nC @ 7 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||