BSS192P , P沟道 MOSFET 晶体管, 0.19 A, Vds=-250 V, 4针 PG-SOT-89封装
- RS 库存编号:
- 753-2848
- 制造商零件编号:
- BSS192P
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 10 件）*
RMB18.91
(不含税)
RMB21.37
(含税)
有库存
- 另外 240 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | RMB1.891 | RMB18.91 |
| 250 - 990 | RMB1.477 | RMB14.77 |
| 1000 - 4990 | RMB1.324 | RMB13.24 |
| 5000 - 9990 | RMB1.153 | RMB11.53 |
| 10000 + | RMB1.063 | RMB10.63 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-2848
- 制造商零件编号:
- BSS192P
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 190 | |
| 最大漏源电压 Vd | 250 | |
| 包装类型 | SOT-89 | |
| 系列 | SIPMOS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 | |
| 最大功耗 Pd | 1 | |
| 正向电压 Vf | -1.1 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.9 | |
| 最低工作温度 | -55 | |
| 最高工作温度 | 150 | |
| 宽度 | 2.5 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 4.5 | |
| 高度 | 1.5 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 190 | ||
最大漏源电压 Vd 250 | ||
包装类型 SOT-89 | ||
系列 SIPMOS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 | ||
最大功耗 Pd 1 | ||
正向电压 Vf -1.1 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.9 | ||
最低工作温度 -55 | ||
最高工作温度 150 | ||
宽度 2.5 | ||
标准/认证 No | ||
长度 4.5 | ||
高度 1.5 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||