IPA60R380C6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 10.6 A, Vds=650 V, 3针 PG-TO-220FP封装

品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

10.6 A

最大漏源电压

650 V

最大漏源电阻值

380 mΩ

最大栅阈值电压

3.5V

最小栅阈值电压

2.5V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

TO-220FP

安装类型

通孔

引脚数目

3

晶体管配置

单

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

最大功率耗散

83 W

尺寸

10.36 x 4.57 x 9.45mm

长度

10.36mm

宽度

4.57mm

每片芯片元件数目

1

典型关断延迟时间

110 ns

晶体管材料

Si

典型输入电容值@Vds

700 pF @ 100 V

最低工作温度

-55 °C

典型接通延迟时间

15 ns

典型栅极电荷@Vgs

32 nC @ 10 V

高度

9.45mm

系列

CoolMOS C6

最高工作温度

+150 °C