IPP70N10S3-12 , N沟道 MOSFET 晶体管, 70 A, Vds=100 V, 3针 PG-TO-220-3-1封装
- RS 库存编号:
- 753-3052P
- 制造商零件编号:
- IPP70N10S3-12
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 50 件 (按管提供)*
RMB384.50
(不含税)
RMB434.50
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 198 | RMB7.69 |
| 200 - 998 | RMB6.265 |
| 1000 - 1998 | RMB5.05 |
| 2000 + | RMB4.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-3052P
- 制造商零件编号:
- IPP70N10S3-12
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 70 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 11.6 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 长度 | 10mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 尺寸 | 10 x 4.4 x 9.25mm | |
| 高度 | 9.25mm | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型输入电容值@Vds | 3350 pF @ 25 V | |
| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 系列 | OptiMOS T | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 70 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
最大漏源电阻值 11.6 mΩ | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
晶体管配置 单 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 125 W | ||
长度 10mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
尺寸 10 x 4.4 x 9.25mm | ||
高度 9.25mm | ||
宽度 4.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型输入电容值@Vds 3350 pF @ 25 V | ||
典型关断延迟时间 25 ns | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
晶体管材料 Si | ||
典型接通延迟时间 17 ns | ||
系列 OptiMOS T | ||
典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V | ||
- COO (Country of Origin):
- SG