IPW60R041C6 , N沟道 MOSFET 晶体管, 77.5 A, Vds=650 V, 3针 PG-TO-247封装

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753-3059
制造商零件编号:
IPW60R041C6
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

77

最大漏源电压 Vd

650

系列

CoolMOS C6

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

最大功耗 Pd

481

最大栅源电压 Vgs

20

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

290

最低工作温度

-55

正向电压 Vf

0.9

最高工作温度

150

标准/认证

No

长度

16.13

高度

21.1

宽度

5.21

汽车标准