IPW60R099CP , N沟道 MOSFET 晶体管, 31 A, Vds=650 V, 3针 PG-TO-247-3-1封装
- RS 库存编号:
- 753-3065
- 制造商零件编号:
- IPW60R099CP
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB54.13
(不含税)
RMB61.17
(含税)
有限的库存
- 另外 48 件在 2026年6月01日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB54.13 |
| 25 - 99 | RMB48.63 |
| 100 - 239 | RMB40.85 |
| 240 - 479 | RMB40.04 |
| 480 + | RMB36.80 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 753-3065
- 制造商零件编号:
- IPW60R099CP
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品概述和技术数据表
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 31 A | |
| 最大漏源电压 | 650 V | |
| 最大漏源电阻值 | 99 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 255 W | |
| 典型输入电容值@Vds | 2800 pF @ 100 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 10 V | |
| 典型关断延迟时间 | 60 ns | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 典型接通延迟时间 | 10 ns | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 宽度 | 5.21mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 系列 | CoolMOS CP | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 31 A | ||
最大漏源电压 650 V | ||
最大漏源电阻值 99 mΩ | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
封装类型 TO-247 | ||
安装类型 通孔 | ||
晶体管配置 单 | ||
引脚数目 3 | ||
通道模式 增强 | ||
类别 功率 MOSFET | ||
最大功率耗散 255 W | ||
典型输入电容值@Vds 2800 pF @ 100 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V | ||
典型关断延迟时间 60 ns | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
典型接通延迟时间 10 ns | ||
长度 16.13mm | ||
尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm | ||
宽度 5.21mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
系列 CoolMOS CP | ||
高度 21.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||